R6030ENXC7G
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Rohm Semiconductor R6030ENXC7G
| Artikelnummer: | R6030ENXC7G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | 600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.56 |
| 10+ | $5.93 |
| 100+ | $4.9099 |
| 500+ | $4.2754 |
| 1000+ | $3.7238 |
| 2000+ | $3.5859 |
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- Versandinformationen
- Verpackung
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Rohm Semiconductor R6030ENXC7G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments R6030ENXC7G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220FM Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 14.5A, 10V Verlustleistung (max) 86W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack Paket Tube Betriebstemperatur 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta) Grundproduktnummer R6030 -
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